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Richtek USA Inc. 立锜科技

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品牌： Richtek USA Inc.复制 Richtek 立锜科技
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOP
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替代：
驱动配置：半桥
通道类型：同步
驱动器数：2
栅极类型：N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：4.5V ~ 13.2V
输入类型：反相，非反相
丝印：
外壳：
封装：8-SOP-EP
料号：P4-2054
包装： 2500个/ 卷带
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可供数量:咨询
个
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替代：
驱动配置：半桥
通道类型：同步
驱动器数：2
栅极类型：N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：4.5V ~ 13.2V
输入类型：反相，非反相
丝印：
外壳：
封装：8-WDFN（3x3）
料号：P4-2059
包装： 2500个/ 卷带
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替代：
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通道类型：同步
驱动器数：2
栅极类型：N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：4.5V ~ 13.2V
输入类型：反相，非反相
丝印：
外壳：
封装：8-SOP-EP
料号：P4-3170
包装： 2500个/ 卷带
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替代：
驱动配置：半桥
通道类型：同步
驱动器数：4
栅极类型：N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：4.5V ~ 13.2V
输入类型：反相，非反相
丝印：(请登录)
外壳：
封装：16-WQFN（4x4）
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包装： 1500个/ 卷带
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描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 24WQFN
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通道类型：3 相
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栅极类型：N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：4.5V ~ 13.2V
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描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8WDFN
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封装：8-WDFN（3x3）
料号：P4-3995
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输入类型：反相，非反相
丝印：(请登录)
外壳：
封装：16-WQFN（4x4）
料号：P4-4442
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驱动配置：半桥
通道类型：独立式
驱动器数：2
栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：10V ~ 20V
输入类型：非反相
丝印：
外壳：
封装：8-SOP
料号：P4-4937
包装： 2500个/ 卷带（TR）剪切带（CT）
参考价格:￥9.638900
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描述： IC GATE DRV HI-SIDE/LO-SIDE 8SOP
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替代：
驱动配置：高压侧或低压侧
通道类型：独立式
驱动器数：2
栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：13V ~ 20V
输入类型：非反相
丝印：
外壳：
封装：8-SOP
料号：P4-4948
包装： 2500个/ 卷带（TR）剪切带（CT）
参考价格:￥9.638900
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可供数量:咨询
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描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOP
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丝印：
外壳：
封装：8-SOP
料号：P4-5827
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参考价格:￥9.638900
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品牌： Richtek USA Inc.复制 Richtek 立锜科技
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOP
参数： *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 13.2V 逻辑电压 :0.7V，3.2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:15 V 上升/下降时间（典型值）:25ns，12ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 13.2V 逻辑电压 :0.7V，3.2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:15 V 上升/下降时间（典型值）:25ns，12ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 13.2V 逻辑电压 :0.7V，3.2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:15 V 上升/下降时间（典型值）:25ns，12ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 13.2V 逻辑电压 :0.7V，3.2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:15 V 上升/下降时间（典型值）:25ns，12ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 13.2V 逻辑电压 :0.7V，3.2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:15 V 上升/下降时间（典型值）:25ns，12ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 13.2V 逻辑电压 :0.7V，3.2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:15 V 上升/下降时间（典型值）:25ns，12ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 13.2V 逻辑电压 :0.7V，3.2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:15 V 上升/下降时间（典型值）:25ns，12ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:3 相 *驱动器数:6 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 13.2V 逻辑电压 :0.7V，3.2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:15 V 上升/下降时间（典型值）:25ns，12ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 13.2V 逻辑电压 :0.7V，3.2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:15 V 上升/下降时间（典型值）:25ns，12ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 13.2V 逻辑电压 :0.7V，3.2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:15 V 上升/下降时间（典型值）:25ns，12ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:3 相 *驱动器数:6 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 13.2V 逻辑电压 :0.7V，3.2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:15 V 上升/下降时间（典型值）:25ns，12ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:300mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:70ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:13V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:300mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:70ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:13V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:300mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:70ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:300mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:70ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:300mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:70ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:300mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:70ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:300mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:70ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
驱动配置：半桥
通道类型：独立式
驱动器数：2
栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：10V ~ 20V
输入类型：非反相
丝印：
外壳：
封装：8-SOP
料号：P4-5829
包装： 1个/ 管件
参考价格:￥9.638900
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描述： IC GATE DRV HI-SIDE/LO-SIDE 8DIP
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替代：
驱动配置：高压侧或低压侧
通道类型：独立式
驱动器数：2
栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：10V ~ 20V
输入类型：非反相
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外壳：
封装：8-DIP
料号：P4-5830
包装： 1个/ 管件
参考价格:￥9.638900
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可供数量:咨询
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品牌： Richtek USA Inc.复制 Richtek 立锜科技
描述： IC GATE DRV HI-SIDE/LO-SIDE 8DIP
参数： *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 13.2V 逻辑电压 :0.7V，3.2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:15 V 上升/下降时间（典型值）:25ns，12ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 13.2V 逻辑电压 :0.7V，3.2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:15 V 上升/下降时间（典型值）:25ns，12ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 13.2V 逻辑电压 :0.7V，3.2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:15 V 上升/下降时间（典型值）:25ns，12ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 13.2V 逻辑电压 :0.7V，3.2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:15 V 上升/下降时间（典型值）:25ns，12ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 13.2V 逻辑电压 :0.7V，3.2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:15 V 上升/下降时间（典型值）:25ns，12ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 13.2V 逻辑电压 :0.7V，3.2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:15 V 上升/下降时间（典型值）:25ns，12ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 13.2V 逻辑电压 :0.7V，3.2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:15 V 上升/下降时间（典型值）:25ns，12ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:3 相 *驱动器数:6 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 13.2V 逻辑电压 :0.7V，3.2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:15 V 上升/下降时间（典型值）:25ns，12ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 13.2V 逻辑电压 :0.7V，3.2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:15 V 上升/下降时间（典型值）:25ns，12ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 13.2V 逻辑电压 :0.7V，3.2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:15 V 上升/下降时间（典型值）:25ns，12ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:3 相 *驱动器数:6 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 13.2V 逻辑电压 :0.7V，3.2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:15 V 上升/下降时间（典型值）:25ns，12ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:300mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:70ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:13V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:300mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:70ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:13V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:300mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:70ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:300mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:70ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:300mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:70ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:300mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:70ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:300mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:70ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:300mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:70ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:300mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:70ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔
替代：
驱动配置：高压侧或低压侧
通道类型：独立式
驱动器数：2
栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：10V ~ 20V
输入类型：非反相
丝印：
外壳：
封装：8-DIP
料号：P4-5831
包装： 1个/ 管件
参考价格:￥9.638900
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RT7028BGN' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
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